www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Моделирование транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 [ 31 ]

ограничением при эксплуатации они считают не предельные токи, а температуру кристалла, расчет которой представляет собой довольно спожную проблему, учитошая много взаимо-зависящих факторов.

Только компоютерное моделирование схем, без которого немыслима созременная разработка, позволяет учесть все тоебования по применению новых элементов и обеспечить необходимые режимы работы. Компьютерные соедства разработки позволяют учесть даже паразитные емкости и индуктивности, вносимые печатными платами. Наиболее мощной прогоаммой, позволяющими осуществлять такой анализ, на сегодняшний день явпрются PSPICE, а математические SPICE модели, разработанные специалистам 11R для MOSFET и IGBT транзисторов и диодов hEXFRED, позволяют производить моделирование с высокой степенью приближения.

Литература:

1. В.З. Иванов, А.И. Колпаков. Применеь/ie IGBT транзисторов. Электромнь.е компо 1енты №1,1996 .

2. А.И. Колпакоз. Автоматизация теплового расчета оконечных каскадов на IGBT транзисторах Э lt;спресс-Электрон/1ка №5,61998г.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 [ 31 ]