www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Моделирование транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [ 30 ] 31

1700В и 2400А 1FZ2400R17KF6 фирмы SIEMENS). Основной особенностью этих элементов, ограничивающей их применение на высоких частотах, является наличие т.н. хзоаа -остаточного тока коллектора при выключенно\1 затворе из-за рассасывания неосновных носителей з област1 базы биполярно/ части транзиаора. В среднем на частотах свыше ЮкГц допустимый ток коллектора падает более чем в три раза по сравнению с током на низких частотах.

Однако и с этим недостатком ведется успешная борьба. Недавно в производственной программе International Rectifier появились IGBT транзисторы класса WARP Speed, рассчитанные на рабочие частоты до 150к ц, способные заменить MOSFET в ряде применений. Не занимаясь разработкой элементов для сверхгиощных применений, фирма IR наибольшее внимание уделяет улучшению частотных свойств IGBT и созданию функциональных модулей, являющихся законченными силовыми устройствами. Эточопперы, полумосты, полные трехфазные мосты и драйверы трехфазных двигателей powlRtrain.

На рис 3 показан модуль IRPT3054, объединяющий трехфазный выпрямитель, тормозной транзистор, полный трехфазный мост и датчики температуры и перегрузки поток gt;. Транзисторы, примененные в модуле рассчитаны на ток до ЗОА и напряжение до 1200В, что позволяет питать модуль от трехфазной сети напряжением до 480В. В сочетании с драйвером полного трехфазного моста и контроллером модуль образует законченный малогабаритный силовой привод. Для связи контроллера и силового каскада фирма IR выпускает драйверы всех конфигураций, осуществляющие все

RS1 POWER МООШ


и it t №ГГ,7КЛ 1ВИИЯ IPC1 П Q raquo; ClF.I UH ff. tS ffi t6 II V rf ffl И?



необходимые сервисные функци в том числе драйвер полного трехфазного моста на напряжение 1200В, предназначенный для управления модуля, описанного выше.

Большое внимание уделяете? также созданию т.н. интеллектуальных силовых модулей , объединяющ. X Б одном корпусе силовой элеьу1ент и драйвер и имеюших полную внутреннюю защиту. Пр мером таких устройств является серия Pov RSafe фирмы IR или серия PROFET фирмы SIEMENS. Стру кту р на я схе ма модуля 1Рб22б(напр яжен ие55В, ток20А) приведена на рис.4. Основные особенности:

Ограничение тока при перегрузке в Ш И М режиме

Защита от перегрева

Активное ограничение отрицательных выбросов

Защита от обрыва силовой земли

Защита от падения напряжения управления

Защита от статического электричества 4 lt;В на всех выводах

Изоляция логической и силовой земли

Для связи процессора с однофазными исполнительными устройствами, рассчитанными на работу от промышленной сети, служат драйверы симисторов с оптической развязкой. Одним из применен/й таких схем служат ксмпвютерные системы регулирования освещения на крупных предприятиях, позволяющие резко снизить энергопотребление. В качестве

DRAIN

iThsfiMl

Input Uiflic

Lcml

Ch laquo;i laquo;

Ciimp

Sense



Примера можно назвать микросхемы серии МОСЗО** фирмы MOTOROLA. При токе управления 5-15мА, они способны работать на симистор с напряжением до 800В и током управления до 1А. На рис. 5 приведена схема включения МОС308* вместе с силовым симистором.

Краткий обзор современных силовых элементов не позволяет рассказать ни обо всех компонентах, доступных сейчас на рынке, ни об особенностях их применения. Однако об одном сказать необходимо. Проблемы создания силового привода отнюдь не исчерпываются составпением программы обработки сигнала для микроконтроллера. Разработчики, практически работающие с силовыми каскадами, наверняка испытывали ни с чем несравнимое ощущение, когда собранная схема взрывается после включения, покрывая всё пеплом. Естественно, анализировать причину отказа в таком случае невозможно. А возможная причина, как правило, кроется или в неправильном выборе силовых компонентов, или в некорректном расчете элементов схемы, либо в пренебрежении к правилам защиты от статического электричества. При кажущейся простоте современные силовые каскады требуют очень внимательного подхода к расчету и проектированию, как в схемотехнике, так и в топологии. При выборе элементов необходимо учитывать не только предельные режимы, и частотные свойства (в том числе динамические потери, которые могут превышать статические) но и тепловые режимы работы. В руководствах по применению транзисторов IGBT фирмы International Rectifier указывается, что главным

о-VW--


240 Vac

NEUTRAL



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [ 30 ] 31