www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Моделирование транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 [ 19 ] 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

IGBT транзистор

MOSFET транзисторы, появившиеся в 80-х годах, имели характеристики, близкие к характеристикам идеального ключа и являлись наиболее популярными ключевыми элементами. Однако оказалось, что главным параметром, ограничивающим область их применения, является напряжение стока. Высоковольтных МОП - транзисторов с достаточно хорошими характеристиками создать пока не удается, так как сопротивление открытого МОП ПТ растет пропорционально квадрату пробивного напряжения. Кристаллы высоковольтных МОП ПТ имеют большую площадь и, соответственно, большую стоимость чем у биполярных транзисторов. Справедливости ради надо сказать, что многие фирмы продолжают работать над созданием высоковольтных полевых транзисторов. В частноаи IXYS выпускает транзисторы по BIMOSFET технологии, рассчитанные на напряжение до 1600В. Однако напряжение насыщения у них составляет 7В, соответственно и рассеиваемая на них мощность оказывается недопустимо большой.

I tv1

I SS

- 1 vri


-г-1 gt;

I laquo;7

- NSS;

-[ gt;-

I к

гЦв15




3 середине 80-х гг., возникла идея создания биполярного транзистора с МОП - управлением, названного IGBT -Insulated Gate Вpolar Transistor. В 90-91 гг. в каталогах ряда фирм (среди которых одной из первых была фирма International Rectifier) появились транзисторы IGBT. С тех лор практически все ведущие производители мощных полупроводниковых приборов изготавливают эти транзисторы.

IGBT представляет собой PNP транзистор, управляемый от сравнительно низковольтного МОП транзистора с индуцированным каналом через высоковольтный N-канальный полевой транзистор. Новая технология позвол1/ла соединить в одном элементе достоинства полевых и биполярных транзисторов У IGBT практически отсутствуют входные токи, они имеет отличные динамические характеристики, не уступающие MOSFET. В то же время потери у них растут пропорцио-нальнотоку, а не квадрату тока, как у полевьхтранз1сторов. Максимальное напряжение 1СВТограниченотог.ькотехнологическим пробоем, и уже сегодня выпускаются тоанзисторы с рабочигч/1 напряжением до 2000В. При этог напряжение насыщения у них не превышает 2-ЗВ в рабочих режимах. Основным недостатком IGBT транзисторов пока остаются динамические потери, что снижает допустимый ток коллектооа на частотах выше ЮкГц. Однако д,пя силовых каскадов блоков электронного зажигания, где рабочие частоты не превышают (200-300)Гц, на сегодняшний день транзисторы IGBT подходят более других элементов.

Описание схемы

Как правило, энергия в системах электронного зажигания запасается в индуктивности катушки зажигания или в накопительном конденсаторе. Первый способ реализован в большинстве современных систем зажигания, например в а/м ВАЗ-2108,2109. Первичная обмотка катушки зажигания в этих машинах имеет низкое сопротивление (около 0,5 Ом), и стабилизация тока при колебаниях напряжения аккумулятора не представляет трудности Энергия, запасенная в индуктивности Eind, выражается следующим соотношением:

Eind=LF/2,

где L - индуктивность первичной обмотки катушки зажигания, I - ток. Индуктивность выбирается, исходя из необходимости обеспечения полного заряда при максимальной частоте вращения коленчатого вала (200Гц при бОООоб/мин). Ток стабилизируется на уровне, обеспечивающем




Рис.2


Time

IKns



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 [ 19 ] 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31