www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Моделирование транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [ 18 ] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

3. о ПРОИЗВОДИТЕЛЯХ

о преимуществах различных фирм, производящих силовые полупроводники, можно говорить бесконечно. Однако, скорее всего Вы выберете не самый лучший элемент, а тот, который проще достать или тот, который Вы хорошо знаете и привыкли к нему. И соотношение цена - качество тоже и-ра-ет не последнюю роль.

Одно можно сказать уверенно: ведущими разработчиками и производителями MOSFET и IGBT были и остаются International Rectifier. SIEMENS (Infineon). IXYS. Advanced Power Technology (APT). Среди производителей

Таблица 7. MOSFET Vdss=200V Корпус ТО-247

1 ип элемента,

Ear.

фирма

(25С)

(25 С)

IRFP260 IR

0.055

0.45

0.24

IXFH42N20 IXYS

0.05

0.42

0.25

Таблица 8. MOSFET Vdss=100V Корпус ТО-220

Тип элемента.

Ear,

фирма

(25 laquo;С)

(25 С)

IRF540N IR

0.052

BUZ341 SIEMENS

0.07

0.74

Таблица 9. IGBT Vce=600V Корпус TO-247

Тип элемента, фирма

IcA (25C)

Von, V

P .W (250

Ear, mJ

C/W

Qg, nC

Eon mJ

Eoff mJ

IRG4PC50W IR

0.64

IRG4PSC71K IR

0.36

BUP604 SIEMENS

.

IXGK50N60AU1 IXYS

0.75

APT30GT60BR APT

0.63



сверхмощных модулей и интеллектуальных силовых иодупей можно назвать также FUJI и TOSHIBA

Для сопоставления приведем таблицы со сравнительными характеристиками некоторых элементов (таблица 7,8 -MOSFET, 9 - IGBT). Чтобы сравнение было корректным, возьмем транзисторы, имеющ1е одинаковый корпус, максимальную для данного корпуса мощность и наилучшие частотные свойства.

Анализ таблиц показывает, что отдать предпочтение ка-KOh/y-либо из производителей очень сложно. Это еще раз подтверждает, что на рынке силовых компонентов существует жесткая конкуренция, и определяющими могут стать преимущества в стоимости, простотедоставки и технической поддержке. Мы убеждены в том, что по последнему параметру лидирует International Rectifier. Эта фирма появилась на нашем рынке одной их первых и с самого начала своей деятельности делала главный акцент на обеспечение разработчиков технической информацией. С этим утверждением можно не соглашаться, но одно бесспорно. Наиболеедостоверные SPICE модели MOSFET и IGBT транзисторов разработаны специалистами именно этой фирмы. А создание современной техники без математического моделирования невоз1МОЖ1ю. И в этом мы абсолютно уверены

Литература:

IR Application Mo:es:

1. Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs. AN-944

2. Application Characterization of IGBTs. INT990

3. IGB Characeristics. AN-983

4. Datasheets R, IXYS, SIEMENS, APT

5. А.Колпаков. Моделирование MOSFET транзисторов с помощью SPICE. Новые Компоненты, 1998, №5-6(8)

6. В.В.Иванов, А Колпаков. Применение IGBT. Электронные Компоненты, 1996, №1

7. А.Колпаков. Автоматизацир теплового расчета оконечных каскадов на IGBT транзисторах. Экспресс Электроника, 1998, №5, 6



f СНГ транзисторы в системе злектроииога заЛигаиия

Введение

Невозможно представить себе современный автомобигь без электроники. Электронных устройств становится все боль -ше, они внедряются во все системы автомобиля, и одним из важнейших таких устройств явтяется система электронного зажигания. На новых машинах она, как правило, входит в штатное оборудование. При установке же на старые автомобили, выполненные по классической схеме, это, пожалуй, единственное устройство, способное качественно улучшить характеристики машины , поднять их на новый уровень.

Подавляющее большинство автомобилей в нашей стране, к сожалению, составляют именно такие автомобили, и необходимость в разработке подобных схем с годами не уменьшается. Кроме того автолюбителям, которые не только держатся за руль , но и пытаются разобраться в том, что же у машины находится под капотом, будет интересно и полезно узнать некоторые особенности системы зажигания.

Напомним основные преимущества, которые дает система электронного зажигания:

Более полное сгорание топлива и связанное с этим повышение мощности и экономичности,

Снижение токсичности отработавших газов,

Облепнение холодного пуска,

Снижение энергопотребления

Возможность микропроцессорного управления зажиганием

На сегодняшний день схем электронного зажигания существует множество. Выпускается также масса интегральных схем для серийного использования в автомобилях. Однако одна из проблем, присущих всем таким системам, полностью не решена до сих пор. Это проблема надежности. Многие автолюбители знают, что вывести систему зажигания из строя может оборвавшийся со свечи высоковольтный провод. Оконечный силовой каскад, а это неотъемлемая часть подобных устройств, работает в очень напряженном электрическом и тепловом режиме. Ни полевые, ни тем более биполярные транзисторы не способны дать гарантию безотказной работы во всех режимах, особенно аварийных.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [ 18 ] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31