www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Моделирование транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [ 17 ] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31


Рис.9

Поскольку в качестве оппозитного диода используется диод с малым значением Qrr, динамические потери включения MOSFET меньше, чем могли бы быть при его работе в полумосте с аналогичным транзистором. При расчетах использовалась модель диода HFA04TB60.

На рис.10 показаны эпюры, соответствующие данной схеме. Отметьте, как возросли потери включения из-за обратного

10KW


400V т

10Ат


101Ш

1В1Ж



Тип элемента

Р W

PS,W

Ti.oc(Ts

=70Ю

20кГц

БОкГц

20кГц БОкГи

20кГц

50кГц

IRF840LC

18 22.5

IRG4BC30UD

13 25

восстановления диода. На графикетока коллектора виден пик при включении транзистора, образующийся в процессе восстановления диода. I

Результаты расчетов сведены в таблицу 5.

В данной схеме потери транзисторов IGBT на частоте 50кГц превышают потери MOSFET. Из-за большего знгчения теплового сопротивления перегрев кристалла IGBT также оказывается больше, что делает применение полевых транзисторов в таком режиме предпочтительней.

2.3 Полумостовая схема с индуктивной нагрузкой.

На рис.11 приведена соответствующая тестовая схема, а на рис.12 - эпюры. Сточки зрения мощности потерь главное отличие от предыдущей схемы состоит в том, что при включении MOSFET транзистора через него течет ток обратного восстановления оппозитного диода, имеющего хаоакте-ристики его внутреннего диода. Поэтому при расчете для полевоо транзистора используется формула Е (мощность




Таблица б

Тип элемента

PS,W

Tj,C(Ts

=70 deg;С)

2Эк1 ц 50кГи

20кГц 50кГ4

20кГи

50кГц

IRF840LC

13.5

9.5 23

20 35.5

IRG4BC30UD

S 20

12 2А

динамических потерь транзистора MOSFET с учетом тока обратного восстановления оппозитного диода з режиме тяжелого переключения).

Если на правление тока не меняется, то он -ечет через транзистор и оппозитный диод. Когда в схеме есть модуляция скважности, и ток на-рузки изменяет свое направление, транзистор и его антипараллельный диод работают по очереди. В этом случае при расчете потерь необходимо учитывать мощность рассеивающуюся на открытом диоде.

Результаты расчета, приведенные в таблице б, однозначно говорят о преимуществах IGBT в полумостовых схемах. Как говорилось выше, можно исключить внутренний диод полевого тоанзистора с помощью двух быстрых диодов. Можно также ограничить пики тока восстановления с помощью снабберов. Од 1ако при этом схема не только теряет свое изящество, но и заметно ухудшает технические характеристики.

лхкн-


400VT

o4 lt;rt1)(lc1,1)


evtkl.l)


lOOia НОШ 120ш 1301Я 14Сш



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [ 17 ] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31