www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Однокристальные микроконтроллеры 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63

Внутреннее устройство микросхемы TDA1551Q показано на рис. 3.35. Основные параметры микросхемы, необходимые для проектирования, приведены в табл. 3.14.


mute

вых. каскад

шина

5 J3 10

7 11

Рис. 3.35. Внутреннее устройство



Таблица 3.14

Параметр технических условий

Символ

Мин.

Норма

Макс.

Ffl. ИЗМ.j

Напряжение питания

14,4

b i!

Неповторяющийся пиковый выходной ток

- -

. Повторяющийся пиковый выходной ток

A 1

Диапазон температур хранения

-H50

c 1

Рабочая температура кристалла

+ 150

c i

Общая тепловая рассеиваемая мощноаь

P,o,

Вт !

j Тепловое сопротивление laquo;кристалл-корпус raquo;

К/Вт I

j Тепловое сопротивление laquo;кристалл-среда raquo; (без радиатора)

k/bt i

мостовое включение

Выходная мощность: THD = 0,5% THD= 10%

i Общие гармонические искажения (вых. мощ-i ность 1 Вт)

0,05

t -

Полоса воспроизводимых частот (по уровню -1дБ)

20 000

Коэффициент усиления

дБ i

Входной импеданс

1 Разделение каналов

Порог срабатывания детектора гармонических искажений

Небаланс каналов

Z -~

одиночное включение

j Выходная мощность: 1 THD = 0,5% THD=10%

Общие гармонические искажения (вых. мощ-i ность 1 Вт)

0,05

Нижняя воспроизводимая частота (по уровню -ЗдБ)

Верхняя воспроизводимая частота (по уровню -1 дБ)

high



Окончание таблицы 3.14

jl Параметр технических условий

[l Коэффициент усиления

ji Входной импеданс I Разделение каналов

Небаланс каналов

Параметры интерфейса IC

Символ

Мин.

Норма

Макс.

Ед. изм. 1

дБ 1

-------------

дБ i

Входной сигнал высокого уровня Входной сигнал низкого уровня

Выходной сигнал низкого уровня

Срабатывание схемы внутреннего сброса;

1,5 0,4

1 старт окончание

Standby (вывод 9)

Vh,gh

Как видно нз рнс. 3.35, микросхема состоит из четырех идентичных усилителей с .дифференциальными входны.ми каскадами, один из которых является инвертирующим, а второй - неинвертирующим. Как известно, для обеспечения нормальной работы любого -мемента необходимо рассчитать его тепловой режим, принять меры к рассеянию излишней тепловой М0Щ1ЮСТИ. Например, в книге [3] приводится вариант такого теплового расчета. Собственно, нуж1Ю проверить необходимость проектирования теплоотводящего радиатора и рассчитать его габариты, выбрать котютруктивное исполнение. Фирменная документация имеет все необходимые данные для расчета. Для удобства разработчика приводятся размеры теплоогводящей поверхности (рис. 3.36, а) и внутреннее распределение тешювых сопротивлений между геплоотводящей поверхностью и выводами микросхем (рис. 3.36, б).

Теперь разберемся, как управлять режимами микросхемы и как получать информацию о ее внутреннем состоянии. Мы уже неодно-крагно говорили, что laquo;общение raquo; с микросхемой происходит программно. Обратите внимание на рис. 3.37: по шине ГС передается фиксированный slave-адрес микросхемы, а также единственное слово данных (DATA). УcJювиe laquo;КУ\У raquo;, как обычно, отражает режим записи/чтения.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63